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中企正式官宣!国产4nm芯片开始封装量产

时间:2023-01-12 来源:未知
摘要:中企4nm芯片的封装量产表明了中国在先进封装技术方面再度实现突破!4nm先进工艺制程芯片的封装量产来之不易,封测过程面临着巨大的挑战,连接、散热都是中企封装量产中的拦路虎...

中企4nm芯片的封装量产表明了中国在先进封装技术方面再度实现突破!4nm先进工艺制程芯片的封装量产来之不易,封测过程面临着巨大的挑战,连接、散热都是中企封装量产中的拦路虎。

 
封测过程中的连接、散热问题,需要依靠多维异构封装技术来地解决。2021年长电科技发布 XDFOI 多维先进封装技术,这也为4nm封装技术打下了坚实的基础。
 
数据显示,2021年全球先进封装市场总营收达 321 亿美元,预计到 2027 年复合年均增长率将达到 10%。拥有先进封装技术无疑是助力经济发展,实现科技强国的有效途径之一。由此可见,长电科技发布 XDFOI 多维先进封装技术的重要性。
 
芯片想要在成本、功耗和性能方面获得提升,如果仅仅依靠尺寸缩小来达成是非常困难的。芯片的尺寸缩小程度十分有限,不能成为芯片工艺演进的衡量标准。先进封装技术却能突破困境,这是先进封装技术被视为后摩尔时代颠覆性技术之一的原因。
 
与多维先进封装技术密切相关的4nm芯片,已进入稳定量产阶段。4nm小芯片技术的迅速发展,是突破美国芯片科技的快捷方式。小芯片技术不再限制于价格与制造成本,小芯片技术将多个功能相异的芯片统筹整合,从而达到性能要求。
 
小芯片技术如此备受关注与芯片这个行业作为发展重点是息息相关的。芯片是半导体元件产品的统称。2016年我国在芯片行业主导竞争的全球格局中处于下风,集成电路行业发展的提出迫在眉睫。芯片是制造业的尖端领域之一,小芯片的发展尤其值得重视。
 
中国企业在小芯片发展技术的探索道路中取得了成就,我国企业将芯片背面金属化技术及其制造工艺应用到大批量量产产线中,包括了长电科技,赛微电子,中富电路等。小芯片技术在提升散热性能方案中成就显著,在系统导热性的提升方面也有极大的成效。小芯片在提升性能的同时,能够根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力。
 
中国小芯片的发展无疑是危及美国在相关科技领域优势地位的关键因素。曾经有一位银行家说“一旦美国关掉开关”,中国可能陷入黑暗之中。事实的确如此,芯片行业在中国享有高达1500亿美元的巨额政府补贴,这也从侧面反映出中国长期依赖海外市场。反之亦然,经济全球化的进程中,中国芯片行业的觉醒也将对美国产生巨大的影响。
 
美国对中国小芯片技术只有阻挠吗?机遇和挑战是并存的,美国的做法非但没有阻挡中国发展的进程,反而激发了中国芯片的巨大潜能。中国在美国一定程度的垄断中,找到了突破口。中国的半导体企业在小芯片领域积极探索,打破了芯片技术的封锁,实现半导体产业的“弯道超车”。中企正式官宣国产4nm芯片封装量产是实现弯道超车的标志,是依赖国外半导体技术破冰的关键。
 
4nm芯片封装量产无疑表示人工智能、5G、汽车电子等应用将实现质的飞跃。越来越多的设备及相关领域也将因此投入使用中国小芯片。科技带动发展的背后,于中国民众而言,增强了民族自信。
 
中企4nm芯片的封装量产,从内部打开了以往技术的局限,是中国半导体技术突破自身壁垒的体现。此次小芯片技术的重大突破也将是未来中国半导体技术发展的垫脚石!

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