特性
ARM® Cortex®-M4主频最高108MHz
1.8V ~ 3.6V供电电压
温度范围-40 ~ +105°C
ESD:±4KV(HBM 模型), ±1KV(CDM 模型)
內存
高达128 KByte片内Flash,支持加密存储,支持硬件ECC校验,
10万次擦写次数,10年数据保持
32K Byte 片内SRAM,支持硬件奇偶校验
低功耗管理
STANDBY 模式:2.5uA,所有备份寄存器保持,IO 保持,可选 RTC Run,8KByte SRAM2 保持,
快速唤醒
STOP2 模式:6uA、RTC Run、8KByte SRAM2 保持、CPU 寄存器保持、IO 保持、快速唤醒
RUN 模式:90uA/MHz@64MHz
LPRUN 模式:PLL 关闭,MSI 作为系统主时钟,MR 关闭,LPR 开启,USB/CAN/SAC 电源关
闭,其他外设可选
时钟
HSE:4MHz~20MHz 外部高速晶体
LSE:32.768KHz 外部低速晶体
HSI:内部高速 RC OSC 8MHz
LSI:内部低速 RC OSC 30KHz
MSI:内部多速 RC100K ~ 4MHz
内置高速 PLL
MCO:支持 1 路时钟输出,可配置为低速或高速时钟输出
复位和电源管理
支持上电/掉电/外部引脚复位
支持看门狗复位
支持可编程的电压检测
模拟高性能外设
1个 12bit 5Msps 高速 ADC,多精度可配置,多达16路外部单端输入通道
2个轨到轨运算放大器,内置32倍可编程增益放大器
2个高速模拟比较器,内置64级可调比较基准
1个12bit DAC,采样率1Msps